Foundry manufacturing of tight-confinement, dispersion-engineered, ultralow-loss silicon nitride photonic integrated circuits

In this work, we demonstrate the first foundry-standard fabrication process of Si3N4 PICs with only 2.6 dB/m loss, thickness above 800 nm, and near 100% fabrication yield on 6-inch (150 mm diameter) wafers. Merging with advanced heterogeneous integration, active ultralow-loss Si3N4 integrated photonics could pave an avenue to addressing future demands in our increasingly information-driven society.