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  • 晶圆制造紧密色散工程设计的超低损耗氮化硅光子集成电路

    集成光子技术的晶圆制造发展为当今的光互连和数据中心带来了革命性的变化。在过去的十年中，我们见证了氮化硅（ Si3N4 ）集成光子学的崛起，目前正在从实验室研究向晶圆制造转变。促成这一发展和转变的根源来自于氮化硅超越硅和Ⅲ-Ⅴ族半导体的低光学损耗。结合适度的克尔非线性、严格的光学约束和色散工程，氮化硅如今已成为线性和克尔非线性光子学的领先平台，并实现了超低噪声可与桌面光纤激光器媲美的芯片级激光器。

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  • Foundry manufacturing of tight-confinement, dispersion-engineered, ultralow-loss silicon nitride photonic integrated circuits

            The foundry development of integrated photonics has revolutionized today’s optical interconnect and data centers. Over the last decade, we have witnessed the rising of silicon nitride (Si₃N₄) integrated photonics, which is currently transferring from laboratory research to foundry manufacturing.

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